SI2302ADS-T1
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
SI2302ADS-T1中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 700mW Ta
漏源极电压Vds 20 V
输入电容Ciss 300pF @10VVds
耗散功率Max 700mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI2302ADS-T1引脚图与封装图
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在线购买SI2302ADS-T1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI2302ADS-T1 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3 | 搜索库存 |
替代型号SI2302ADS-T1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI2302ADS-T1 品牌： Vishay Siliconix 封装： SOT-23 | 当前型号 | MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3 | 当前型号 |
| 型号： SI2302CDS-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： TO-236-3 | 类似代替 | TRANSISTOR 2600mA, 20V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-236, 3Pin, FET General Purpose Small Signal | SI2302ADS-T1和SI2302CDS-T1-GE3的区别 |
| 型号： SI2302ADS-T1-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： SOT-23 N-Channel 20V 2.4A 85mΩ | 类似代替 | MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 20V; RDSON 0.045Ω; ID 2.1A; TO-236 SOT-23; PD 0.7W | SI2302ADS-T1和SI2302ADS-T1-E3的区别 |
| 型号： SI2302DS,215 品牌： 恩智浦 封装： SOT-23 N-Channel 20V 2.5A | 功能相似 | NXP SI2302DS,215 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.6 A, 20 V, 0.056 ohm, 4.5 V, 650 mV | SI2302ADS-T1和SI2302DS,215的区别 |