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SI2302ADS-T1、SI2302CDS-T1-GE3、SI2302DS,215对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI2302ADS-T1 SI2302CDS-T1-GE3 SI2302DS,215

描述 MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3TRANSISTOR 2600mA, 20V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-236, 3Pin, FET General Purpose Small SignalNXP  SI2302DS,215  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.6 A, 20 V, 0.056 ohm, 4.5 V, 650 mV

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - 57 mΩ 0.056 Ω

极性 - - N-Channel

耗散功率 700mW (Ta) 710 mW 830 mW

阈值电压 - 850 mV 650 mV

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) - - 2.50 A

输入电容(Ciss) 300pF @10V(Vds) - 230pF @10V(Vds)

额定功率(Max) - - 830 mW

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

耗散功率(Max) 700mW (Ta) 710mW (Ta) 830mW (Tc)

上升时间 - 7 ns -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

工作结温(Max) - 150 ℃ -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 - Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2014/06/16 2015/12/17