SI8808DB-T2-E1
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
SI8808DB-T2-E1中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 500mW Ta
漏源极电压Vds 30 V
输入电容Ciss 330pF @15VVds
耗散功率Max 500mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 UFBGA-4
外形尺寸
封装 UFBGA-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI8808DB-T2-E1引脚图与封装图
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