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SILICONIX(威世) SI8808DB-T2-E1

SILICONIX(威世) SI8808DB-T2-E1
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

SI8808DB-T2-E1

制造商:

SILICONIX (威世)

产品类别:

晶体管-FET,MOSFET-单个

商品描述:

MOSFET N-CH 30V MICROFOOT

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

国内现货
自营
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SI8808DB-T2-E1 中文资料

SI8808DB-T2-E1 规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 2.5 A

漏源电阻 95 mOhms

栅极电压 - 8 V, + 8 V

栅源极阈值电压 400 mV

栅极电荷 10 nC

耗散功率 900 mW

通道模式 Enhancement

配置 Single

外形参数

高度 0.65 mm

长度 1.6 mm

宽度 1.6 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 45.104 mg

库存: 有货

货期:

国内(1~3工作日)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
单价:¥2.983538 总价:¥2.98

价格(含增值税)

数量 单价 总价
1 2.983538 2.98
10 2.537674 25.38
100 1.893463 189.35
500 1.487602 743.80
1000 1.149454 1149.45
品牌其他型号
SI8808DB-T2-E1品牌厂家:SILICONIX ,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个 ,可在锐单商城现货采购SI8808DB-T2-E1、查询SI8808DB-T2-E1代理商; SI8808DB-T2-E1价格批发咨询客服;这里拥有 SI8808DB-T2-E1中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到 SI8808DB-T2-E1替代型号SI8808DB-T2-E1数据手册PDF