SI4642DY-T1-E3
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Vishay Siliconix
分立器件
SI4642DY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 3.5W Ta, 7.8W Tc
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 34.0 A
上升时间 180 ns
输入电容Ciss 5540pF @15VVds
额定功率Max 7.8 W
耗散功率Max 3.5W Ta, 7.8W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
SI4642DY-T1-E3引脚图与封装图
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在线购买SI4642DY-T1-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI4642DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 30V 34A 7.8W 3.75mohm @ 10V | 搜索库存 |
替代型号SI4642DY-T1-E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI4642DY-T1-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： 8-SOIC N-Channel 30V 34A | 当前型号 | MOSFET 30V 34A 7.8W 3.75mohm @ 10V | 当前型号 |
| 型号： SI4628DY-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： | 功能相似 | MOSFET N-CH 30V 38A 8SOIC | SI4642DY-T1-E3和SI4628DY-T1-GE3的区别 |