SI4628DY-T1-GE3、SI4642DY-T1-E3、SI4752DY-T1-GE3对比区别

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型号 SI4628DY-T1-GE3 SI4642DY-T1-E3 SI4752DY-T1-GE3

描述 MOSFET N-CH 30V 38A 8SOICMOSFET 30V 34A 7.8W 3.75mohm @ 10VMOSFET N-CH 30V 25A 8-SO

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SO-8 SOIC-8 SO-8

极性 - N-Channel N-Channel

耗散功率 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) 3 W

阈值电压 - - 1 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

输入电容(Ciss) 3450pF @15V(Vds) 5540pF @15V(Vds) 1700pF @15V(Vds)

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) 3W (Ta), 6.25W (Tc)

连续漏极电流(Ids) - 34.0 A -

上升时间 - 180 ns -

额定功率(Max) - 7.8 W -

长度 4.9 mm - 4.9 mm

宽度 3.9 mm - 3.9 mm

高度 1.75 mm - 1.75 mm

封装 SO-8 SOIC-8 SO-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown

包装方式 - Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2014/06/16