SI3812DV-T1-GE3
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Vishay Siliconix
分立器件
SI3812DV-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 830mW Ta
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 2.40 A
耗散功率Max 830mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOT-23-6
外形尺寸
封装 TSOT-23-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI3812DV-T1-GE3引脚图与封装图
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在线购买SI3812DV-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI3812DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP | 搜索库存 |
替代型号SI3812DV-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI3812DV-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： TSOP N-Channel 20V 2.4A | 当前型号 | MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP | 当前型号 |
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