SI2305ADS-T1-E3

Vishay Siliconix 分立器件

MOSFET 8V 4.1A 1.7W 40mohm @ 4.5V

P-Channel 8V 5.4A Tc 960mW Ta, 1.7W Tc Surface Mount SOT-23-3 TO-236

得捷:
MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3

贸泽:
MOSFET 8.0V 4.1A 1.7W 40mohm @ 4.5V

SI2305ADS-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 960mW Ta, 1.7W Tc

漏源极电压Vds 8 V

输入电容Ciss 740pF @4VVds

耗散功率Max 960mW Ta, 1.7W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.6 mm

高度 1.45 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -50℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SI2305ADS-T1-E3引脚图与封装图

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SI2305ADS-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET 8V 4.1A 1.7W 40mohm @ 4.5V	搜索库存

替代型号SI2305ADS-T1-E3

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： SI2305ADS-T1-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： SOT-23-3	当前型号	MOSFET 8V 4.1A 1.7W 40mohm @ 4.5V	当前型号
型号： SI2305ADS-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： SOT-23-3 P-Channel 8V 4.1A	完全替代	MOSFET 8V 4.1A 1.7W 40mohms @ 4.5V	SI2305ADS-T1-E3和SI2305ADS-T1-GE3的区别
型号： SI2305CDS-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： SOT-23	类似代替	VISHAY SI2305CDS-T1-GE3 MOSFET Transistor, P Channel, -5.8A, -8V, 0.028Ω, -4.5V, -1V	SI2305ADS-T1-E3和SI2305CDS-T1-GE3的区别
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