SI2305ADS-T1-E3、SI2305CDS-T1-GE3、SI5980DU-T1-GE3对比区别

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型号 SI2305ADS-T1-E3 SI2305CDS-T1-GE3 SI5980DU-T1-GE3

描述 MOSFET 8V 4.1A 1.7W 40mohm @ 4.5VVISHAY SI2305CDS-T1-GE3 MOSFET Transistor, P Channel, -5.8A, -8V, 0.028Ω, -4.5V, -1VMOSFET 100V 2.5A 7.8W 0.567Ω @ 10V

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 ChipFET-8

耗散功率 960mW (Ta), 1.7W (Tc) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) -

漏源极电压(Vds) 8 V 8 V 100 V

输入电容(Ciss) 740pF @4V(Vds) 960pF @4V(Vds) 78pF @50V(Vds)

耗散功率(Max) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) -

额定功率(Max) - - 7.8 W

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 ChipFET-8

长度 2.9 mm - 3.05 mm

宽度 1.6 mm - 1.65 mm

高度 1.45 mm - 1.1 mm

工作温度 -50℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free