SIR330DP-T1-GE3
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
SIR330DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
耗散功率 5W Ta, 27.7W Tc
漏源极电压Vds 30 V
输入电容Ciss 1300pF @15VVds
耗散功率Max 5W Ta, 27.7W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 无铅
SIR330DP-T1-GE3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SIR330DP-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SIR330DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8 | 搜索库存 |
替代型号SIR330DP-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SIR330DP-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： SOIC-8 | 当前型号 | MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8 | 当前型号 |
| 型号： SIR482DP-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： PowerPAK | 功能相似 | MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8 | SIR330DP-T1-GE3和SIR482DP-T1-GE3的区别 |