SIR330DP-T1-GE3、SIR482DP-T1-GE3对比区别

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型号 SIR330DP-T1-GE3 SIR482DP-T1-GE3

描述 MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

数据手册 --

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SOIC-8 SO-8

通道数 1 -

耗散功率 5W (Ta), 27.7W (Tc) 5W (Ta), 27.7W (Tc)

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

输入电容(Ciss) 1300pF @15V(Vds) 1575pF @15V(Vds)

耗散功率(Max) 5W (Ta), 27.7W (Tc) 5W (Ta), 27.7W (Tc)

封装 SOIC-8 SO-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 无铅 无铅