STL50DN6F7中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 62500 mW
输入电容 1035 pF
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 57A
上升时间 15.3 ns
输入电容Ciss 1035pF @30VVds
额定功率Max 62.5 W
下降时间 8 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 62500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerVDFN-8
外形尺寸
封装 PowerVDFN-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 无铅
STL50DN6F7引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| STL50DN6F7 | ST Microelectronics 意法半导体 | STL50DN6F7 系列 60V 11 mOhm N-沟道 STripFET™ F7 功率 Mosfet - PowerFlat-5x6 | 搜索库存 |