锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

SSTA13
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 电子元器件分类

SSTA13 NPN 30V 0.3A HEF=5000~10000 SOT23 代码 R1M

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO | 30V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO | 30V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC | 0.3A 截止频率fT Transtion FrequencyfT | 直流电流增益hFE DC Current GainhFE |  5000~10000 管压降VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.5V 耗散功率Pc Power dissipation | 0.2W 描述与应用 Description & Applications |


SSTA13中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.3A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

其他

产品生命周期 Not Recommended

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SSTA13引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SSTA13
型号 制造商 描述 购买
SSTA13 ROHM Semiconductor 罗姆半导体 SSTA13 NPN 30V 0.3A HEF=5000~10000 SOT23 代码 R1M 搜索库存
替代型号SSTA13
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SSTA13

品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体

封装:

当前型号

SSTA13 NPN 30V 0.3A HEF=5000~10000 SOT23 代码 R1M

当前型号

型号: MPSA13G

品牌: 安森美

封装: TO-92 NPN 30V 500mA 625mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  MPSA13G  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 30 V, 125 MHz, 625 mW, 500 mA, 10000 hFE

SSTA13和MPSA13G的区别

型号: MPSA13RLRAG

品牌: 安森美

封装: TO-92 NPN 30V 500mA 625mW

功能相似

达林顿晶体管NPN硅 Darlington Transistors NPN Silicon

SSTA13和MPSA13RLRAG的区别

型号: MPSA13-AP

品牌: 美微科

封装: TO-92 NPN 1500mW

功能相似

MPSA13 系列 30 V 500 mA 表面贴装 NPN 硅 达林顿 晶体管 - TO-92-3

SSTA13和MPSA13-AP的区别