STGP6M65DF2
数据手册.pdfST Microelectronics(意法半导体)
电子元器件分类
耗散功率 88000 mW
击穿电压集电极-发射极 650 V
反向恢复时间 140 ns
额定功率Max 88 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 88000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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STGP6M65DF2 | ST Microelectronics 意法半导体 | Trans IGBT Chip N-CH 650V 12A 88000mW 3Pin3+Tab TO-220AB Tube | 搜索库存 |