SS8050-G

Comchip Technology 上华科技分立器件

Trans GP BJT NPN 25V 1.5A 300mW 3Pin SOT-23 T/R

Bipolar BJT Transistor NPN 25V 1.5A 100MHz 300mW Surface Mount SOT-23

得捷:
TRANS NPN 25V 1.5A SOT23-3

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT NPN TRANSISTOR 1.5A 40V

艾睿:
Trans GP BJT NPN 25V 1.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

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Trans GP BJT NPN 25V 1.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

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TRANS NPN 25V 1.5A SOT23-3 / Bipolar BJT Transistor NPN 25 V 1.5 A 100MHz 300 mW Surface Mount SOT-23-3

SS8050-G中文资料参数规格

技术参数

频率 100 MHz

耗散功率 300 mW

增益频宽积 100 MHz

击穿电压集电极-发射极 25 V

最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 1V

最大电流放大倍数hFE 350

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

SS8050-G引脚图与封装图

SS8050-G引脚图

SS8050-G封装图

SS8050-G封装焊盘图

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