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SI1065X-T1-E3

SI1065X-T1-E3

数据手册.pdf
Vishay Siliconix 分立器件

MOSFET P-CH 12V 1.18A SOT563F

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


得捷:
MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6


贸泽:
MOSFET 12V 1.18A 0.236W 130 mohms @ 4.5V


SI1065X-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.245 Ω

耗散功率 0.236 W

漏源极电压Vds 12 V

输入电容Ciss 480pF @6VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 236mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-89-6

外形尺寸

长度 1.7 mm

高度 0.5 mm

封装 SC-89-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SI1065X-T1-E3引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SI1065X-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 1.18A SOT563F 搜索库存
替代型号SI1065X-T1-E3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： SI1065X-T1-E3

品牌： Vishay Siliconix

封装： SOT-666

当前型号

MOSFET P-CH 12V 1.18A SOT563F

当前型号

型号： SI1065X-T1-GE3

品牌： Vishay Siliconix

封装： SOT-666 P-Channel 12V 1.18A

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