SI1065X-T1-E3、SI1065X-T1-GE3对比区别

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型号 SI1065X-T1-E3 SI1065X-T1-GE3

描述 MOSFET P-CH 12V 1.18A SOT563FMOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6

数据手册 --

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SC-89-6 SC-89-6

引脚数 6 -

极性 - P-Channel

耗散功率 0.236 W 236mW (Ta)

漏源极电压(Vds) 12 V 12 V

连续漏极电流(Ids) - 1.18 A

输入电容(Ciss) 480pF @6V(Vds) 480pF @6V(Vds)

耗散功率(Max) 236mW (Ta) 236mW (Ta)

漏源极电阻 0.245 Ω -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

封装 SC-89-6 SC-89-6

长度 1.7 mm -

高度 0.5 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free