SMBG12AHE3/52中文资料参数规格
技术参数
工作电压 12 V
击穿电压 13.3 V
钳位电压 19.9 V
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 13.3 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 DO-215AA
外形尺寸
封装 DO-215AA
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 汽车级
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SMBG12AHE3/52引脚图与封装图
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在线购买SMBG12AHE3/52
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SMBG12AHE3/52 | Vishay Semiconductor 威世 | TVS UNIDIR 600W 12V 5% SMB | 搜索库存 |
替代型号SMBG12AHE3/52
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SMBG12AHE3/52 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： DO-215AA | 当前型号 | TVS UNIDIR 600W 12V 5% SMB | 当前型号 |
| 型号： SMBG12A-E3/52 品牌： 威世 封装： DO-215AA | 完全替代 | TVS UNIDIR 600W 12V 5% SMB | SMBG12AHE3/52和SMBG12A-E3/52的区别 |
| 型号： SMBG12A-M3/5B 品牌： 威世 封装： | 完全替代 | Diode TVS Single Uni-Dir 12V 600W 2Pin SMBG T/R | SMBG12AHE3/52和SMBG12A-M3/5B的区别 |
| 型号： SMBG12HE3/52 品牌： 威世 封装： DO-215AA | 功能相似 | ESD 抑制器/TVS 二极管 RECOMMENDED ALT 625-SMBG12AHE3 | SMBG12AHE3/52和SMBG12HE3/52的区别 |