SST5486-T1-E3
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Vishay Siliconix
分立器件
SST5486-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 350 mW
连续漏极电流Ids 8.00 mA
击穿电压 25 V
输入电容Ciss 5pF @15VVds
额定功率Max 350 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SST5486-T1-E3引脚图与封装图
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在线购买SST5486-T1-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SST5486-T1-E3 | Vishay Siliconix | JFET P-CH 35V 8mA SOT-23 | 搜索库存 |
替代型号SST5486-T1-E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SST5486-T1-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： TO-236-3 N-Channel 350mW | 当前型号 | JFET P-CH 35V 8mA SOT-23 | 当前型号 |
| 型号： BFR31,215 品牌： 恩智浦 封装： TO-236-3 N-Channel 250mW | 功能相似 | N 通道 JFET，NXP### JFET 晶体管一系列 JFET（接线场效应晶体管）和 HEMT/HFET（高电子迁移率晶体管/异质结 FET）分立半导体设备。 | SST5486-T1-E3和BFR31,215的区别 |
| 型号： PMBFJ309,215 品牌： 恩智浦 封装： TO-236-3 250mW | 功能相似 | PMBFJ309 系列 25 Vds 50 mA N 通道 硅 场效应晶体管 - TO-236AB | SST5486-T1-E3和PMBFJ309,215的区别 |
| 型号： BFR30,215 品牌： 恩智浦 封装： TO-236-3 250mW | 功能相似 | N 通道 JFET，NXP### JFET 晶体管一系列 JFET（接线场效应晶体管）和 HEMT/HFET（高电子迁移率晶体管/异质结 FET）分立半导体设备。 | SST5486-T1-E3和BFR30,215的区别 |