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SST5486-T1-E3、PMBFJ309,215、PMBFJ109,215对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SST5486-T1-E3 PMBFJ309,215 PMBFJ109,215

描述 JFET P-CH 35V 8mA SOT-23PMBFJ309 系列 25 Vds 50 mA N 通道 硅 场效应晶体管 - TO-236ABNXP  PMBFJ109,215.  射频场效应管, JFET, N沟道, 25V, 40mA, 3-SOT-23

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 JFET晶体管JFET晶体管JFET晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

击穿电压 - -25.0 V -25.0 V

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 50 Ω 12 Ω

耗散功率 350 mW 250 mW 250 mW

漏源极电压(Vds) - 25 V 25 V

漏源击穿电压 - 25 V -

栅源击穿电压 - 25 V -

击穿电压 25 V 25 V 25 V

输入电容(Ciss) 5pF @15V(Vds) 5pF @10V(Vds) 30pF @10V(Vgs)

额定功率(Max) 350 mW 250 mW 250 mW

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 250 mW 250 mW

额定功率 - - 250 mW

极性 N-Channel - N-Channel

连续漏极电流(Ids) 8.00 mA - -

长度 - 3 mm 3 mm

宽度 - 1.4 mm 1.4 mm

高度 - 1 mm 1 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 - Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 - - EAR99