SQ4920EY-T1_GE3
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
主动器件
SQ4920EY-T1_GE3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电压Vds 30 V
输入电容Ciss 1465pF @15VVds
额定功率Max 4.4 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SQ4920EY-T1_GE3引脚图与封装图
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在线购买SQ4920EY-T1_GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SQ4920EY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO | 搜索库存 |
替代型号SQ4920EY-T1_GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SQ4920EY-T1_GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： 8-SOIC | 当前型号 | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO | 当前型号 |
| 型号： SI7938DP-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： PowerPAKR | 功能相似 | MOSFET 2N-CH 40V 60A 8SOIC | SQ4920EY-T1_GE3和SI7938DP-T1-GE3的区别 |