SI7938DP-T1-GE3、SQ4920EY-T1_GE3对比区别

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型号 SI7938DP-T1-GE3 SQ4920EY-T1_GE3

描述 MOSFET 2N-CH 40V 60A 8SOICMOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO

数据手册 --

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SO-8 SOIC-8

引脚数 8 -

漏源极电压(Vds) 40 V 30 V

输入电容(Ciss) 2300pF @20V(Vds) 1465pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 46 W 4.4 W

漏源极电阻 0.0048 Ω -

耗散功率 3.5 W -

阈值电压 2.5 V -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

封装 SO-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2014/06/16 -