SI1903DL-T1-E3
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Vishay Siliconix
分立器件
SI1903DL-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 995 mΩ
极性 P-Channel, Dual P-Channel
耗散功率 300 mW
漏源极电压Vds 20 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids 440 mA
额定功率Max 270 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70-6
外形尺寸
封装 SC-70-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
SI1903DL-T1-E3引脚图与封装图
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在线购买SI1903DL-T1-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI1903DL-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6 | 搜索库存 |
替代型号SI1903DL-T1-E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI1903DL-T1-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： 6-TSSOP P-Channel 20V 440mA 995mΩ | 当前型号 | MOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6 | 当前型号 |
| 型号： NTUD3170NZT5G 品牌： 安森美 封装： SOT-963 N-Channel 20V 280mA | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR NTUD3170NZT5G. 场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20V, SOT-963 | SI1903DL-T1-E3和NTUD3170NZT5G的区别 |
| 型号： FDC655BN 品牌： 飞兆/仙童 封装： SSOT N-Channel 30V 6.3A 25mohms 570pF | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC655BN 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.3 A, 30 V, 0.021 ohm, 10 V, 1.9 V | SI1903DL-T1-E3和FDC655BN的区别 |
| 型号： PMGD290XN,115 品牌： 安世 封装： 6-TSSOP | 功能相似 | 双 N 通道 MOSFET，Nexperia### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors | SI1903DL-T1-E3和PMGD290XN,115的区别 |