漏源极电阻 22.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.00 W
漏源极电压Vds 30 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 7.50 A
额定功率Max 1.1 W
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SI4808DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH/SCHOTTKY 30V 8SOIC | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: SI4808DY-T1-E3 品牌: Vishay Siliconix 封装: 8-SOIC N-Channel 7.5A 22mΩ | 当前型号 | MOSFET N-CH/SCHOTTKY 30V 8SOIC | 当前型号 | |
型号: SI4804BDY-T1-E3 品牌: Vishay Siliconix 封装: 8-SOIC | 完全替代 | MOSFET N-CH DUAL 30V 5.7A 8-SOIC | SI4808DY-T1-E3和SI4804BDY-T1-E3的区别 | |
型号: SI4834BDY-T1-E3 品牌: Vishay Siliconix 封装: 8-SOIC | 完全替代 | MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOIC | SI4808DY-T1-E3和SI4834BDY-T1-E3的区别 | |
型号: SI4922BDY-T1-E3 品牌: Vishay Siliconix 封装: 8-SOIC | 类似代替 | MOSFET N-CH DUAL 30V 8A 8-SOIC | SI4808DY-T1-E3和SI4922BDY-T1-E3的区别 |