SI4808DY-T1-E3、SI4922BDY-T1-E3、SI4944DY-T1-E3对比区别

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型号 SI4808DY-T1-E3 SI4922BDY-T1-E3 SI4944DY-T1-E3

描述 MOSFET N-CH/SCHOTTKY 30V 8SOICMOSFET N-CH DUAL 30V 8A 8-SOICMOSFET N-CH DUAL 30V 9.3A 8-SOIC

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

极性 N-Channel - N-Channel, Dual N-Channel

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 7.50 A - 12.2 A

额定功率(Max) 1.1 W 3.1 W 1.3 W

漏源极电阻 22.0 mΩ 0.024 Ω -

耗散功率 2.00 W 3.1 W -

阈值电压 - 1.8 V -

输入电容 - 2070pF @15V -

漏源击穿电压 - 30 V -

热阻 - 50℃/W (RθJA) -

输入电容(Ciss) - 2070pF @15V(Vds) -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -50 ℃ -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

长度 - 5 mm 4.9 mm

宽度 - - 3.9 mm

高度 - 1.55 mm 1.75 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Unknown Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2014/06/16 -