SI4511DY-T1-E3
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
SI4511DY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 14.5 mΩ
极性 N-Channel, P-Channel
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 9.60 A
额定功率Max 1.1 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI4511DY-T1-E3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SI4511DY-T1-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI4511DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC | 搜索库存 |
替代型号SI4511DY-T1-E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI4511DY-T1-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： 8-SOIC N-Channel 20V 9.6A | 当前型号 | MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC | 当前型号 |
| 型号： SI4511DY-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： 8-SOIC | 完全替代 | MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC | SI4511DY-T1-E3和SI4511DY-T1-GE3的区别 |
| 型号： SI4539ADY-T1-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： 8-SOIC N-Channel 5.9A 36mΩ | 类似代替 | MOSFET N/P-CH 30V 4.4A 8-SOIC | SI4511DY-T1-E3和SI4539ADY-T1-E3的区别 |
| 型号： SI4539ADY-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： 8-SOIC | 类似代替 | MOSFET 30V 5.9/4.9A 2W 36/53mohm @ 10V | SI4511DY-T1-E3和SI4539ADY-T1-GE3的区别 |