SI4511DY-T1-E3、SI4511DY-T1-GE3、NDH8321C对比区别

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型号 SI4511DY-T1-E3 SI4511DY-T1-GE3 NDH8321C

描述 MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOICMOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC双N和P沟道增强型场效应晶体管 Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

封装 SOIC-8 SOIC-8 SSOT

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

漏源极电阻 14.5 mΩ - 29.0 mΩ

极性 N-Channel, P-Channel - N-Channel, P-Channel

耗散功率 - - 800 mW

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

漏源击穿电压 - - ±20.0 V

栅源击穿电压 - - ±8.00 V

连续漏极电流(Ids) 9.60 A - 3.8A/2.7A

额定功率(Max) 1.1 W 1.1 W -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SSOT

长度 - 4.9 mm -

宽度 - 3.9 mm -

高度 - 1.75 mm -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -