SI1912EDH-T1-E3
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Vishay Siliconix
分立器件
SI1912EDH-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.28 Ω
耗散功率 570 mW
阈值电压 450 mV
漏源极电压Vds 20 V
额定功率Max 570 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70-6
外形尺寸
长度 2.1 mm
宽度 1.25 mm
高度 1 mm
封装 SC-70-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2014/06/16
SI1912EDH-T1-E3引脚图与封装图
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在线购买SI1912EDH-T1-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI1912EDH-T1-E3 | Vishay Siliconix | SI1912EDH-T1-E3 Dual N-channel MOSFET Transistor, 1.13A, 20V, 6Pin SOT-363 | 搜索库存 |
替代型号SI1912EDH-T1-E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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