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SI1912EDH-T1-E3、SI1988DH-T1-E3、FDG1024NZ对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI1912EDH-T1-E3 SI1988DH-T1-E3 FDG1024NZ

描述 SI1912EDH-T1-E3 Dual N-channel MOSFET Transistor, 1.13A, 20V, 6Pin SOT-363MOSFET N-CH DUAL 20V 1.3A SC70-6FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDG1024NZ  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 1.2 A, 20 V, 0.16 ohm, 4.5 V, 800 mV

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6

通道数 - - 2

针脚数 - - 6

漏源极电阻 0.28 Ω - 0.16 Ω

极性 - N-Channel, Dual N-Channel Dual N-Channel

耗散功率 570 mW - 360 mW

阈值电压 450 mV - 800 mV

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

漏源击穿电压 - - 20 V

连续漏极电流(Ids) - 1.30 A 1.2A

上升时间 - - 1.7 ns

输入电容(Ciss) - 110pF @10V(Vds) 150pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 570 mW 1.25 W 300 mW

下降时间 - - 1.5 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 0.3 W

长度 2.1 mm - 2 mm

宽度 1.25 mm - 1.25 mm

高度 1 mm - 1 mm

封装 SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 2014/06/16 - 2015/06/15