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SI1988DH-T1-E3

SI1988DH-T1-E3

数据手册.pdf
Vishay Siliconix 分立器件

MOSFET N-CH DUAL 20V 1.3A SC70-6

Mosfet Array 2 N-Channel Dual 20V 1.3A 1.25W Surface Mount SC-70-6 SOT-363


得捷:
MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6


DeviceMart:
MOSFET N-CH DUAL 20V 1.3A SC70-6


SI1988DH-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel, Dual N-Channel

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 1.30 A

输入电容Ciss 110pF @10VVds

额定功率Max 1.25 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-70-6

外形尺寸

封装 SC-70-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SI1988DH-T1-E3引脚图与封装图
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SI1988DH-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH DUAL 20V 1.3A SC70-6 搜索库存
替代型号SI1988DH-T1-E3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SI1988DH-T1-E3

品牌: Vishay Siliconix

封装: 6-TSSOP N-Channel 20V 1.3A

当前型号

MOSFET N-CH DUAL 20V 1.3A SC70-6

当前型号

型号: SI1988DH-T1-GE3

品牌: Vishay Siliconix

封装: 6-TSSOP

完全替代

MOSFET N-CH 20V DUAL SC-70-6

SI1988DH-T1-E3和SI1988DH-T1-GE3的区别

型号: SI1922EDH-T1-GE3

品牌: Vishay Siliconix

封装: SOT-363-6

完全替代

VISHAY SI1922EDH-T1-GE3 Dual MOSFET, Dual N Channel, 1.3A, 20V, 0.165Ω, 4.5V, 400mV

SI1988DH-T1-E3和SI1922EDH-T1-GE3的区别

型号: SI1912EDH-T1-E3

品牌: Vishay Siliconix

封装: 6-TSSOP

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