极性 N-Channel, Dual N-Channel
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 1.30 A
输入电容Ciss 110pF @10VVds
额定功率Max 1.25 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70-6
封装 SC-70-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SI1988DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH DUAL 20V 1.3A SC70-6 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: SI1988DH-T1-E3 品牌: Vishay Siliconix 封装: 6-TSSOP N-Channel 20V 1.3A | 当前型号 | MOSFET N-CH DUAL 20V 1.3A SC70-6 | 当前型号 | |
型号: SI1988DH-T1-GE3 品牌: Vishay Siliconix 封装: 6-TSSOP | 完全替代 | MOSFET N-CH 20V DUAL SC-70-6 | SI1988DH-T1-E3和SI1988DH-T1-GE3的区别 | |
型号: SI1922EDH-T1-GE3 品牌: Vishay Siliconix 封装: SOT-363-6 | 完全替代 | VISHAY SI1922EDH-T1-GE3 Dual MOSFET, Dual N Channel, 1.3A, 20V, 0.165Ω, 4.5V, 400mV | SI1988DH-T1-E3和SI1922EDH-T1-GE3的区别 | |
型号: SI1912EDH-T1-E3 品牌: Vishay Siliconix 封装: 6-TSSOP | 类似代替 | SI1912EDH-T1-E3 Dual N-channel MOSFET Transistor, 1.13A, 20V, 6Pin SOT-363 | SI1988DH-T1-E3和SI1912EDH-T1-E3的区别 |