SIA917DJ-T1-GE3
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
SIA917DJ-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
极性 Dual P-Channel
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids -4.50 A
输入电容Ciss 250pF @10VVds
额定功率Max 6.5 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SC-70-6
外形尺寸
封装 SC-70-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SIA917DJ-T1-GE3引脚图与封装图
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在线购买SIA917DJ-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SIA917DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6 | 搜索库存 |
替代型号SIA917DJ-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SIA917DJ-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： PowerPAKR Dual P-Channel 20V 4.5A | 当前型号 | MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6 | 当前型号 |
| 型号： SIA921EDJ-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： PowerPAKR | 类似代替 | SIA921EDJ-T1-GE3 Dual P-channel MOSFET Transistor, 4.5A, 20V, 6Pin SC-70 | SIA917DJ-T1-GE3和SIA921EDJ-T1-GE3的区别 |