SIA917DJ-T1-GE3、SIA921EDJ-T1-GE3、SIA921EDJ-T4-GE3对比区别

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型号 SIA917DJ-T1-GE3 SIA921EDJ-T1-GE3 SIA921EDJ-T4-GE3

描述 MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6SIA921EDJ-T1-GE3 Dual P-channel MOSFET Transistor, 4.5A, 20V, 6Pin SC-70Power Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Intertechnology

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 SC-70-6 SC-70-6 -

极性 Dual P-Channel - -

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V -

连续漏极电流(Ids) -4.50 A - -

输入电容(Ciss) 250pF @10V(Vds) - -

额定功率(Max) 6.5 W 7.8 W -

阈值电压 - 1.4 V -

封装 SC-70-6 SC-70-6 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -