SI5906DU-T1-GE3
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Vishay Siliconix
分立器件
SI5906DU-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel, Dual N-Channel
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 6.00 A
输入电容Ciss 300pF @15VVds
额定功率Max 10.4 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerPAK-ChipFET-8
外形尺寸
长度 3 mm
宽度 1.8 mm
高度 0.75 mm
封装 PowerPAK-ChipFET-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI5906DU-T1-GE3引脚图与封装图
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在线购买SI5906DU-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI5906DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Si5906DU Series Dual N-Channel 30V 31mOhm 10.4W Surface Mount Mosfet | 搜索库存 |
替代型号SI5906DU-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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