906D、SI5906DU-T1-GE3对比区别

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型号 906D SI5906DU-T1-GE3

描述 Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 0.031ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, POWERPAK, CHIPFET-8Si5906DU Series Dual N-Channel 30V 31mOhm 10.4W Surface Mount Mosfet

数据手册 --

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 8

封装 - PowerPAK-ChipFET-8

极性 - N-Channel, Dual N-Channel

漏源极电压(Vds) - 30 V

连续漏极电流(Ids) - 6.00 A

输入电容(Ciss) - 300pF @15V(Vds)

额定功率(Max) - 10.4 W

长度 - 3 mm

宽度 - 1.8 mm

高度 - 0.75 mm

封装 - PowerPAK-ChipFET-8

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free