SI6969DQ-T1-E3
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Vishay Siliconix
分立器件
SI6969DQ-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 34.0 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 1.10 W
漏源极电压Vds 12 V
栅源击穿电压 ±8.00 V
连续漏极电流Ids -4.60 A to 4.60 A
额定功率Max 1.1 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TSSOP-8
外形尺寸
长度 4.4 mm
宽度 3 mm
高度 1.2 mm
封装 TSSOP-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI6969DQ-T1-E3引脚图与封装图
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在线购买SI6969DQ-T1-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI6969DQ-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 12V 4.6A 1.1W | 搜索库存 |
替代型号SI6969DQ-T1-E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI6969DQ-T1-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： 8-TSSOP P-Channel 4.6A to 4.6A 34mΩ | 当前型号 | MOSFET 12V 4.6A 1.1W | 当前型号 |
| 型号： SI6913DQ-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： 8-TSSOP | 类似代替 | Trans MOSFET P-CH 12V 4.9A 8Pin TSSOP T/R | SI6969DQ-T1-E3和SI6913DQ-T1-GE3的区别 |