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SI6913DQ-T1-GE3、SI6969DQ-T1-E3、SI6969DQ-T1-GE3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI6913DQ-T1-GE3 SI6969DQ-T1-E3 SI6969DQ-T1-GE3

描述 Trans MOSFET P-CH 12V 4.9A 8Pin TSSOP T/RMOSFET 12V 4.6A 1.1WMOSFET P-CH DUAL G-S 12V 8TSSOP

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TSSOP-8 TSSOP-8 TSSOP-8

漏源极电阻 - 34.0 mΩ -

极性 - P-Channel -

耗散功率 - 1.10 W -

漏源极电压(Vds) 12 V 12 V 12 V

栅源击穿电压 - ±8.00 V -

连续漏极电流(Ids) - -4.60 A to 4.60 A -

额定功率(Max) 830 mW 1.1 W 1.1 W

长度 - 4.4 mm -

宽度 - 3 mm -

高度 - 1.2 mm -

封装 TSSOP-8 TSSOP-8 TSSOP-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free