漏源极电阻 0.059 Ω
耗散功率 1.1 W
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40 V
热阻 90℃/W RθJA
额定功率Max 1.1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
高度 1.55 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SI4940DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH DUAL 40V 8-SOIC | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: SI4940DY-T1-E3 品牌: Vishay Siliconix 封装: 8-SOIC | 当前型号 | MOSFET N-CH DUAL 40V 8-SOIC | 当前型号 | |
型号: SI4940DY 品牌: Vishay Siliconix 封装: SO N-Channel 4.2A 36mΩ | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | SI4940DY-T1-E3和SI4940DY的区别 | |
型号: SI4940DY-E3 品牌: Vishay Siliconix 封装: SO N-Channel 4.2A 36mΩ | 功能相似 | Small Signal Field-Effect Transistor, 4.2A ID, 40V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8 | SI4940DY-T1-E3和SI4940DY-E3的区别 |