SI4940DY-E3、SI4940DY-T1-E3、SI4940DY对比区别

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型号 SI4940DY-E3 SI4940DY-T1-E3 SI4940DY

描述 Small Signal Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 40V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8MOSFET N-CH DUAL 40V 8-SOICPower Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 8 8

封装 SO SOIC-8 SO-8

漏源极电阻 36.0 mΩ 0.059 Ω 36.0 mΩ

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 1.10 W 1.1 W 1.10 W

栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 4.20 A - 4.20 A

漏源极电压(Vds) - 40 V -

漏源击穿电压 - 40 V -

热阻 - 90℃/W (RθJA) -

额定功率(Max) - 1.1 W -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

长度 - 5 mm 4.9 mm

宽度 - - 3.9 mm

高度 - 1.55 mm 1.75 mm

封装 SO SOIC-8 SO-8

产品生命周期 Obsolete Obsolete Unknown

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Lead Free -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -