SI7844DP-T1-GE3
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
SI7844DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电压Vds 30 V
额定功率Max 1.4 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SO-8
外形尺寸
封装 SO-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI7844DP-T1-GE3引脚图与封装图
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在线购买SI7844DP-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI7844DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET DL N-CH 30V PPAK 8-SOIC | 搜索库存 |
替代型号SI7844DP-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI7844DP-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： PowerPAK | 当前型号 | MOSFET DL N-CH 30V PPAK 8-SOIC | 当前型号 |
| 型号： SI7844DP-T1-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： PowerPAKR | 完全替代 | MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8 | SI7844DP-T1-GE3和SI7844DP-T1-E3的区别 |
| 型号： SI7844DP-T1 品牌： Vishay Siliconix 封装： SO N-Channel 6.4A 30mΩ | 类似代替 | Power Field-Effect Transistor, 6.4A ID, 30V, 0.022ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, POWERPAK, SOP-8 | SI7844DP-T1-GE3和SI7844DP-T1的区别 |