SI7844DP-T1-E3、SI7844DP-T1-GE3、SI7844DP对比区别

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型号 SI7844DP-T1-E3 SI7844DP-T1-GE3 SI7844DP

描述 MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8MOSFET DL N-CH 30V PPAK 8-SOICTransistor

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 SO-8 SO-8 -

引脚数 8 - -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V -

额定功率(Max) 1.4 W 1.4 W -

漏源极电阻 0.03 Ω - -

耗散功率 1.4 W - -

阈值电压 2.4 V - -

漏源击穿电压 30 V - -

热阻 60℃/W (RθJA) - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 SO-8 SO-8 -

长度 5.99 mm - -

宽度 5.15 mm - -

高度 1.07 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Unknown

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC版本 2014/06/16 - -