
漏源极电压Vds 12 V
额定功率Max 1.1 W
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SI9934BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 12V 6.4A 2W 35mohm @ 4.5V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: SI9934BDY-T1-GE3 品牌: Vishay Siliconix 封装: 8-SOIC | 当前型号 | MOSFET 12V 6.4A 2W 35mohm @ 4.5V | 当前型号 | |
型号: SI9934BDY-T1-E3 品牌: Vishay Siliconix 封装: 8-SOIC Dual P-Channel 12V 6.4A | 完全替代 | MOSFET DUAL P-CH 12V 4.8A 8-SOIC | SI9934BDY-T1-GE3和SI9934BDY-T1-E3的区别 | |
型号: SI4913DY-T1-E3 品牌: Vishay Siliconix 封装: 8-SOIC P-Channel 20V 9.4A | 类似代替 | MOSFET P-CH DUAL 20V 7.1A 8-SOIC | SI9934BDY-T1-GE3和SI4913DY-T1-E3的区别 | |
型号: SI4913DY-T1-GE3 品牌: Vishay Siliconix 封装: 8-SOIC Dual P-Channel 20V 9.4A | 类似代替 | MOSFET 20V 9.4A 2W 15mohm @ 4.5V | SI9934BDY-T1-GE3和SI4913DY-T1-GE3的区别 |