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SI9934BDY-T1-GE3

SI9934BDY-T1-GE3

数据手册.pdf
Vishay Siliconix 分立器件

MOSFET 12V 6.4A 2W 35mohm @ 4.5V

Mosfet Array 2 P-Channel Dual 12V 4.8A 1.1W Surface Mount 8-SO


得捷:
MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 8SOIC


贸泽:
MOSFET 12V 6.4A 2.0W 35mohm @ 4.5V


DeviceMart:
MOSFET P-CH 12V 4.8A 8SOIC


SI9934BDY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电压Vds 12 V

额定功率Max 1.1 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SI9934BDY-T1-GE3引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SI9934BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET 12V 6.4A 2W 35mohm @ 4.5V 搜索库存
替代型号SI9934BDY-T1-GE3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SI9934BDY-T1-GE3

品牌: Vishay Siliconix

封装: 8-SOIC

当前型号

MOSFET 12V 6.4A 2W 35mohm @ 4.5V

当前型号

型号: SI9934BDY-T1-E3

品牌: Vishay Siliconix

封装: 8-SOIC Dual P-Channel 12V 6.4A

完全替代

MOSFET DUAL P-CH 12V 4.8A 8-SOIC

SI9934BDY-T1-GE3和SI9934BDY-T1-E3的区别

型号: SI4913DY-T1-E3

品牌: Vishay Siliconix

封装: 8-SOIC P-Channel 20V 9.4A

类似代替

MOSFET P-CH DUAL 20V 7.1A 8-SOIC

SI9934BDY-T1-GE3和SI4913DY-T1-E3的区别

型号: SI4913DY-T1-GE3

品牌: Vishay Siliconix

封装: 8-SOIC Dual P-Channel 20V 9.4A

类似代替

MOSFET 20V 9.4A 2W 15mohm @ 4.5V

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