SI4913DY-T1-GE3、SI9934BDY-T1-GE3、SI4913DY对比区别

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型号 SI4913DY-T1-GE3 SI9934BDY-T1-GE3 SI4913DY

描述 MOSFET 20V 9.4A 2W 15mohm @ 4.5VMOSFET 12V 6.4A 2W 35mohm @ 4.5VTransistor,

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 - 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC

极性 Dual P-Channel - Dual P-Channel

漏源极电压(Vds) 20 V 12 V -

连续漏极电流(Ids) 9.40 A - -7.10 A

额定功率(Max) 1.1 W 1.1 W -

漏源极电阻 - - 15.0 mΩ

耗散功率 - - 2.00 W

长度 4.9 mm - -

宽度 3.9 mm - -

高度 1.75 mm - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Obsolete Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -