SI4953ADY-T1-GE3
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Vishay Siliconix
分立器件
SI4953ADY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
极性 P-Channel
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids -4.90 A
额定功率Max 1.1 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI4953ADY-T1-GE3引脚图与封装图
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在线购买SI4953ADY-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI4953ADY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 30V 3.9A 2W 53mohm @ 10V | 搜索库存 |
替代型号SI4953ADY-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI4953ADY-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： 8-SOIC P-Channel 30V 4.9A | 当前型号 | MOSFET 30V 3.9A 2W 53mohm @ 10V | 当前型号 |
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| 型号： SI4923DY-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： 8-SOIC | 完全替代 | MOSFET P-CH DUAL 30V 8-SOIC | SI4953ADY-T1-GE3和SI4923DY-T1-GE3的区别 |
| 型号： SI4973DY-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： 8-SOIC | 完全替代 | MOSFET 30V 7.6A 2W 23mohm @ 10V | SI4953ADY-T1-GE3和SI4973DY-T1-GE3的区别 |