SI4953ADY-T1-GE3、SI4973DY-T1-GE3、SI4923DY-T1-GE3对比区别

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型号 SI4953ADY-T1-GE3 SI4973DY-T1-GE3 SI4923DY-T1-GE3

描述 MOSFET 30V 3.9A 2W 53mohm @ 10VMOSFET 30V 7.6A 2W 23mohm @ 10VMOSFET P-CH DUAL 30V 8-SOIC

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

额定功率(Max) 1.1 W 1.1 W 1.1 W

极性 P-Channel - -

连续漏极电流(Ids) -4.90 A - -

长度 - 4.9 mm -

宽度 - 3.9 mm -

高度 - 1.75 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free