极性 N-Channel, P-Channel
漏源极电压Vds 20 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOT-23-6
封装 TSOT-23-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI3588DV-T1-GE3引脚图
SI3588DV-T1-GE3封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SI3588DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6-TSOP | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: SI3588DV-T1-GE3 品牌: Vishay Siliconix 封装: SOT-23-6 N-Channel 20V | 当前型号 | MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6-TSOP | 当前型号 | |
型号: SI3588DV-T1-E3 品牌: Vishay Siliconix 封装: SOT-23-6 N-Channel 20V 3A 80mΩ | 完全替代 | Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.5A/0.57A 6Pin TSOP T/R | SI3588DV-T1-GE3和SI3588DV-T1-E3的区别 | |
型号: SI3586DV-T1-GE3 品牌: Vishay Siliconix 封装: SOT-23-6 N-Channel 20V 2.5A | 完全替代 | MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6-TSOP | SI3588DV-T1-GE3和SI3586DV-T1-GE3的区别 | |
型号: SI3585CDV-T1-GE3 品牌: Vishay Siliconix 封装: SOT-23-6 | 完全替代 | MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP | SI3588DV-T1-GE3和SI3585CDV-T1-GE3的区别 |