SI3586DV-T1-GE3、SI3588DV-T1-GE3、SI3588DV-T1-E3对比区别

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型号 SI3586DV-T1-GE3 SI3588DV-T1-GE3 SI3588DV-T1-E3

描述 MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6-TSOPMOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6-TSOPTrans MOSFET N/P-CH 20V 2.5A/0.57A 6Pin TSOP T/R

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 TSOT-23-6 TSOT-23-6 TSOT-23-6

漏源极电阻 - - 0.08 Ω

极性 N-Channel, P-Channel N-Channel, P-Channel N-Channel, P-Channel

耗散功率 - - 830 mW

阈值电压 - - 450 mV

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

漏源击穿电压 - - 20.0 V

栅源击穿电压 - - ±8.00 V

连续漏极电流(Ids) 2.50 A - 3.00 A

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

额定功率(Max) 830 mW - -

封装 TSOT-23-6 TSOT-23-6 TSOT-23-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2014/06/16