SQJ962EP-T1-GE3
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
主动器件
SQJ962EP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
极性 Dual N-Channel
漏源极电压Vds 60 V
输入电容Ciss 475pF @25VVds
额定功率Max 25 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SO-8
外形尺寸
封装 SO-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SQJ962EP-T1-GE3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SQJ962EP-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SQJ962EP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO | 搜索库存 |
替代型号SQJ962EP-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SQJ962EP-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： PowerPAKR Dual N-Channel | 当前型号 | MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO | 当前型号 |
| 型号： SQJ992EP-T1_GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： PowerPAKR | 类似代替 | MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC | SQJ962EP-T1-GE3和SQJ992EP-T1_GE3的区别 |