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SQJ962EP-T1-GE3、SQJ992EP-T1_GE3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SQJ962EP-T1-GE3 SQJ992EP-T1_GE3

描述 MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SOMOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC

数据手册 --

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 晶体管晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SO-8 SO-8

引脚数 8 -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V

输入电容(Ciss) 475pF @25V(Vds) 446pF @30V(Vds)

额定功率(Max) 25 W 34 W

极性 Dual N-Channel -

封装 SO-8 SO-8

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅