SST174-T1-E3
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Vishay Siliconix
分立器件
SST174-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 85 Ω
极性 P-Channel
栅源击穿电压 30.0 V
击穿电压 30 V
输入电容Ciss 20pF @0VVds
额定功率Max 350 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SST174-T1-E3引脚图与封装图
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在线购买SST174-T1-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SST174-T1-E3 | Vishay Siliconix | JFET N-CH 30V 20mA SOT-23 | 搜索库存 |
替代型号SST174-T1-E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SST174-T1-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： TO-236-3 P-Channel 125Ω | 当前型号 | JFET N-CH 30V 20mA SOT-23 | 当前型号 |
| 型号： MMBFJ176 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOT-23 P-Channel -30V 25mA 250ohms 225mW | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBFJ176 晶体管, JFET, JFET, 30 V, -2 mA, -25 mA, 4 V, SOT-23, JFET | SST174-T1-E3和MMBFJ176的区别 |
| 型号： MMBFJ175 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOT-23 P-Channel -30V -50mA 125ohms 225mW | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBFJ175. 场效应管, JFET, P沟道 | SST174-T1-E3和MMBFJ175的区别 |
| 型号： PMBFJ177,215 品牌： 恩智浦 封装： TO-236-3 300mW | 功能相似 | P 通道 JFET，NXP### JFET 晶体管一系列 JFET（接线场效应晶体管）和 HEMT/HFET（高电子迁移率晶体管/异质结 FET）分立半导体设备。 | SST174-T1-E3和PMBFJ177,215的区别 |