SI4953ADY-T1-E3
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Vishay Siliconix
分立器件
SI4953ADY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.09 Ω
极性 Dual P-Channel
耗散功率 2.00 W
漏源极电压Vds 30 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 4.90 A, -4.90 A
额定功率Max 1.1 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI4953ADY-T1-E3引脚图与封装图
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在线购买SI4953ADY-T1-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI4953ADY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH DUAL 30V 3.7A 8-SOIC | 搜索库存 |
替代型号SI4953ADY-T1-E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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